它們具有封裝和額定電流以及各種拓撲的選擇，包括雙二極管，全橋，相腳，雙共陰極和三相橋。
該公司表示：“該器件的高雪崩性能使系統設計人員能夠減少對緩衝電路的需求，而體二極管的穩定性使設計人員可以使用內部體二極管而不會長期退化。”
為了與模塊一起使用，有一個30kW三相功率因數校正器（Vienna）的參考設計，以及模塊驅動器參考設計（SP3和SP6LI）和板。 SiC Spice模型可用。
SiC二極管模塊網頁在這裡。
維也納使用1.2kVSiC二極管和700V SiC mosfet，並採用三相380 / 400Vrms（50或60Hz）來產生700Vdc。開關頻率為140kHz，控制來自dsPIC33CH DSP。您必須註冊以獲取更多詳細信息。