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SiC MOSFET驅動器芯片獲得汽車用AEC-Q100

SIC118xKQ-SiC-mosfet-gate-driver

稱為SIC118xKQ,分為兩個部分:

  • SIC1182KQ – 1.2kV
  • SIC1181KQ – 750V

它們提供高達8A的電流,並適合處理600-800A的SiC晶體管,具有+ 15V的標準柵極-發射極電壓,以及-3V至-15V的各種負電壓。

安全功能包括:漏極至源極電壓監控,一次欠壓鎖定,二次欠壓鎖定和限流柵極驅動器,以及主動箝位(AAC),可促進安全操作並在以下情況下實現軟關斷故障條件–後者與Vds監控一起使用,可確保在短路期間不到2µs的安全關斷時間。


SIC118xKQ-Automotive-Application-533根據Power Integrations的說法,“門極驅動控制和AAC功能可使柵極電阻最小化”。 “這減少了開關損耗,最大限度地提高了逆變器效率。”

其他功能包括具有溫度和過程補償輸出阻抗的軌到軌輸出,據說即使在惡劣條件下也能保證安全操作。

電感隔離鏈路無需光耦合器或電容耦合即可在一次側和二次側之間來回推動數據。

Power Integrations市場總監Michael Hornkamp表示:“即使電源設備引起了災難性的驅動器故障,隔離仍然完好無損,確保機箱的任何部分都不會承受威脅生命的高壓。”

該公司稱,這種名為eSOP的封裝提供了9.5 mm的爬電距離和電氣間隙,“使用的材料具有符合IEC 60112的最高CTI水平(CTI = 600)”。

“碳化矽mosfet技術為更小,更輕的汽車逆變器系統打開了大門,” Hornkamp說。 “開關速度和工作頻率正在增加;我們的低柵極電阻值可保持開關效率,而我們的快速短路響應可在發生故障時快速保護系統。”

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